Nowy etap w produkcji półprzewodników. TSMC uruchamia proces N2 (2 nm)

W procesie N2 TSMC po raz pierwszy zastosowało tranzystory GAA, czyli gate-all-around bazujące na nanosheet. W przeciwieństwie do FinFET-ów, bramka całkowicie otacza kanał tranzystora. Dzięki temu łatwiej kontrolować przepływ prądu, co pozwala zmniejszać rozmiar tranzystorów bez spadku wydajności.
z- 116
- #
- #
- #
- #
- #
- #







![Kolejny przykład tego jak producenci utrudniają naprawę sprzętu AGD - [ENG]](https://wykop.pl/cdn/c3397993/51cf8f734b3be5d7eb8ce95269a499f0b0ff360474efaf4f42dd361f8e42a10d,w220h142.jpg)












@niewiempoco: co nie zmienia faktu że 2nm jest "mniejsze" niż 3nm i stanowi progres. Jedyne o czym trzeba pamiętać to żeby nie porównywać w ten sposób procesów pomiędzy różnymi producentami jak TSMC, Samsung czy Intel