Jeszcze w tym roku ma ruszyć masowa produkcja układów scalonych wykonanych z dwusiarczku molibdenu, materiału o strukturze dwuwymiarowej, który od kilku lat znajduje się w centrum zainteresowania laboratoriów badawczych. Tym razem nie chodzi jednak o eksperymenty, lecz o realne wdrożenie przemysłowe

BOSE udostępnia kod API dla głośników SoundTouch przed końcem wsparcia. Przedłużono termin i zachowano kluczowe funkcje. Czyżby jakiś powiew dobrych zmian w stronę konsumentów?

W procesie N2 TSMC po raz pierwszy zastosowało tranzystory GAA, czyli gate-all-around bazujące na nanosheet. W przeciwieństwie do FinFET-ów, bramka całkowicie otacza kanał tranzystora. Dzięki temu łatwiej kontrolować przepływ prądu, co pozwala zmniejszać rozmiar tranzystorów bez spadku wydajności.

Samsung oficjalnie zaprezentował Exynosa 2600 wykonanego w technologii 2 nm GAA. To pierwszy taki układ na rynku. Exynos 2600 zawiera 10-rdzeni w układzie 1 + 3 + 6. Jest to główna jednostka C1-Ultra 3,8 GHz, trzy rdzenie C1 Pro 3,25 GHz oraz sześć dodatkowych rdzeni C1 Pro 2,75 GHz.

Podczas pracy akceleratora co sekundę zderzane są miliardy protonów. Zderzenia te niosą ze sobą gigantyczną ilość informacji. Najpierw są one przepuszczane przez specjalny filtr, który usuwa z nich zdecydowaną większość. Zapisywana jest niewielka część z nich. I to te dane są później analizowane.

SK hynix deklaruje, że prototyp nowego nośnika ma być gotowy do końca przyszłego roku, a komercyjna wersja mogłaby trafić na rynek około 2027 roku. Najbardziej rzucającą się w oczy liczbą jest zapowiadana wydajność rzędu nawet 100 milionów operacji wejścia i wyjścia na sekundę.

W Indiach dobiega końca faza testów nowego procesora ogólnego przeznaczenia DHRUV64, zaprojektowanego w całości przez lokalnych inżynierów i przygotowanego do produkcji w technologii 28 nm.