
Nowy etap w produkcji półprzewodników. TSMC uruchamia proces N2 (2 nm)

W procesie N2 TSMC po raz pierwszy zastosowało tranzystory GAA, czyli gate-all-around bazujące na nanosheet. W przeciwieństwie do FinFET-ów, bramka całkowicie otacza kanał tranzystora. Dzięki temu łatwiej kontrolować przepływ prądu, co pozwala zmniejszać rozmiar tranzystorów bez spadku wydajności.
z- 117
- #
- #
- #
- #
- #
- #



![Wszystkie kraje które zaatakował Izrael w 2025 roku. [mapa]](https://wykop.pl/cdn/c3397993/e5b31a1d3cf94b851b43fb018ec3c353f87fcdc167146c1bda61171a904fc923,w220h142.png)














