
Nowy etap w produkcji półprzewodników. TSMC uruchamia proces N2 (2 nm)

W procesie N2 TSMC po raz pierwszy zastosowało tranzystory GAA, czyli gate-all-around bazujące na nanosheet. W przeciwieństwie do FinFET-ów, bramka całkowicie otacza kanał tranzystora. Dzięki temu łatwiej kontrolować przepływ prądu, co pozwala zmniejszać rozmiar tranzystorów bez spadku wydajności.
z- 113
- #
- #
- #
- #
- #
- #

















