Nowy etap w produkcji półprzewodników. TSMC uruchamia proces N2 (2 nm)

W procesie N2 TSMC po raz pierwszy zastosowało tranzystory GAA, czyli gate-all-around bazujące na nanosheet. W przeciwieństwie do FinFET-ów, bramka całkowicie otacza kanał tranzystora. Dzięki temu łatwiej kontrolować przepływ prądu, co pozwala zmniejszać rozmiar tranzystorów bez spadku wydajności.
z- 116
- #
- #
- #
- #
- #
- #

![Dlaczego mężczyźni wycofują się z relacji i społeczeństwa? [RAPORT]](https://wykop.pl/cdn/c3397993/b68e1d81d33ca4aa715e0cdf32659b982898403073483c5a233fb6ff70b0ce85,w220h142.jpg)













#przegryw #heheszki
źródło: 1000014676
Pobierz