ELEKTRONIKA DLA NIEELEKTRONIKÓW: ZASADA DZIAŁANIA KANAŁÓW p-n W PÓŁPRZEWODNIKACH
Membrana półprzepuszczalna, błona półprzepuszczalna – rodzaj membrany (przepony), która przepuszcza niektóre rodzaje cząsteczek a zatrzymuje inne (np. przepuszcza małe cząsteczki rozpuszczalnika, a zatrzymuje duże cząsteczki lub jony). Różnica stężeń związków chemicznych po dwu stronach membrany powoduje powstanie ciśnienia osmotycznego. Cząsteczki substancji przechodzącej przez membranę zachowują się tak jakby oprócz ciśnienia zewnętrznego istniało jeszcze, wspomniane wyżej, ciśnienie osmotyczne. Przykładem naturalnej membrany półprzepuszczalnej jest błona komórkowa czy skóra człowieka. Membrany półprzepuszczalne są m.in. wykorzystywane na dużą skalę do dializy krwi osób z chorobami nerek, do odsalania wody morskiej, do oczyszczania wody filtry RO.
Na podobnej zasadzie działa połączenie kanałów p-n, które tworzą między innymi diodę Shottky'ego.
Krzemowa płytka jest napylona atomami boru, które są oddzielone od siebie atomami krzemu. Bor ma niedobór elektronów, dlatego chętnie przyjmuje elektrony, tworzy więc kanał "p" półprzewodnika, z drugiej strony jest kanał n, który ma nadmiar elektronów i przyjmuje dziury (potencjał wyższy od ujemnego potencjału elektronów). W ten sposób kanał "n" blokuje potencjał niższy, a kanał "p" blokuje potencjał wyższy. Elektrony wnikają więc przez kanał "p" i przeskakują po atomach boru do kanału "n", na którym nie mogą zostać więc z niego spływają po atomach antymonu. Ale nie są to prawdziwe elektrony, to tylko schemat zastępczy. W rzeczywistości dochodzi jedynie do ruchu elektronów przeskakiwania ich z kanału na kanał (w kółeczko) w wyniku różnicy potencjałów między kanałami p i n półprzewodnika.
Tranzystory npn mają kanał p-n sterowany potencjałem wyższym i przepuszczają jedynie ładunki gdy różnica potencjałów i ruch elektronów między bazą i emiterem tranzystora pozwalają na otworzenie się tego kanału. W ten sposób można sterować przepływem elektronów między kolektorem, a emiterem tranzystora.
Tranzystor npn to w zasadzie złącze p-n, które umożliwia ruch elektronów przez drugi kanał n, gdy przez kanał p-n "płynie" jakiś prąd. Tranzystory mają hFE (wzmocnienie), ale to jest oszustwo. Po prostu prąd umożliwiający otwarcie kanału może być kilkaset razy mniejszy, a różnica potencjałów między bazą, a emiterem może być około 10x niższa od różnicy potencjałów między kolektorem, a emiterem.
Tranzystor nie wzmacnia sygnału, pozwala zamienić większy prąd i napięcie w sygnał o większej mocy, ale bez źródła o większej mocy nie ma mowy o żadnym wzmocnieniu.
Jako, że są zarzuty i jest oczernianie mnie, że rzekomo nie jestem Polakiem tylko ruskim to wrzucam dowód, że oczerniający mnie ludzie się mylą. Wszelkie nieodpowiednie komentarze szkalujące będą usuwane. #ukraina #rosja #wojna #wykop
ELEKTRONIKA DLA NIEELEKTRONIKÓW: ZASADA DZIAŁANIA KANAŁÓW p-n W PÓŁPRZEWODNIKACH
Membrana półprzepuszczalna, błona półprzepuszczalna – rodzaj membrany (przepony), która przepuszcza niektóre rodzaje cząsteczek a zatrzymuje inne (np. przepuszcza małe cząsteczki rozpuszczalnika, a zatrzymuje duże cząsteczki lub jony). Różnica stężeń związków chemicznych po dwu stronach membrany powoduje powstanie ciśnienia osmotycznego. Cząsteczki substancji przechodzącej przez membranę zachowują się tak jakby oprócz ciśnienia zewnętrznego istniało jeszcze, wspomniane wyżej, ciśnienie osmotyczne. Przykładem naturalnej membrany półprzepuszczalnej jest błona komórkowa czy skóra człowieka. Membrany półprzepuszczalne są m.in. wykorzystywane na dużą skalę do dializy krwi osób z chorobami nerek, do odsalania wody morskiej, do oczyszczania wody filtry RO.
https://pl.wikipedia.org/wiki/Membrana_półprzepuszczalna
Na podobnej zasadzie działa połączenie kanałów p-n, które tworzą między innymi diodę Shottky'ego.
Krzemowa płytka jest napylona atomami boru, które są oddzielone od siebie atomami krzemu. Bor ma niedobór elektronów, dlatego chętnie przyjmuje elektrony, tworzy więc kanał "p" półprzewodnika, z drugiej strony jest kanał n, który ma nadmiar elektronów i przyjmuje dziury (potencjał wyższy od ujemnego potencjału elektronów). W ten sposób kanał "n" blokuje potencjał niższy, a kanał "p" blokuje potencjał wyższy.
Elektrony wnikają więc przez kanał "p" i przeskakują po atomach boru do kanału "n", na którym nie mogą zostać więc z niego spływają po atomach antymonu. Ale nie są to prawdziwe elektrony, to tylko schemat zastępczy. W rzeczywistości dochodzi jedynie do ruchu elektronów przeskakiwania ich z kanału na kanał (w kółeczko) w wyniku różnicy potencjałów między kanałami p i n półprzewodnika.
Tranzystory npn mają kanał p-n sterowany potencjałem wyższym i przepuszczają jedynie ładunki gdy różnica potencjałów i ruch elektronów między bazą i emiterem tranzystora pozwalają na otworzenie się tego kanału. W ten sposób można sterować przepływem elektronów między kolektorem, a emiterem tranzystora.
źródło: 800px-Semipermeable_membrane.svg
Pobierzźródło: ELEMENTY2
Pobierz