Samsung wyprodukował pierwszy tranzystor w technologii 3 nm GAAFET
To spora zmiana w dziedzinie półprzewodników, gdyż stanowi odejście od forsowanej od paru ostatnich lat technologii FinFET. Jak wynika z oficjalnych danych, technologia 3 nm GAAFET, względem 5 nm FinFET, pozwala zredukować rozmiar czipu o 35 proc., a jednocześnie zużycie energii o 50 proc.
vasper z- #
- #
- #
- #
- #
- #
- 112
- Odpowiedz
Komentarze (112)
najlepsze
Komentarz usunięty przez moderatora
Od jednego tranzystora do działających pamięci albo procesorów jeszcze daleka droga.
@moon_bluebird: Oczywiście, bardzo daleka. Ale, że tak zarzucę mądrością na poziomie Coelho: Nawet najdłuższa droga musi mieć swój początek ;)
Więc warto się cieszyć z tego, ze widać konkretne postępy.