Naukowcy z Yale University i badacze z Semiconductor Research Corp. (SRC) ogłosili, że pamięci ferroelektryczne lepiej nadają się do zastąpienia obecnych układów DRAM niż pamięci flash . Już przed kilkoma miesiącami zaprezentowali oni eksperymentalny ferroelektryczny tranzystor dla układów FeDRAM.