Dioda Gunna
Dioda Gunna jest rodzajem diody używanej w elektronice wysokich częstotliwości. Niezwyczajny jest fakt, że składa się ona jedynie z półprzewodników domieszkowych typu n, gdy większość diod bazuje na obu rodzajach półprzewodników, typu n i p. Dioda Gunna zbudowana jest z dwóch silnie domieszkowych przewodników typu n i lekko domieszkowego materiału pośrodku nich. Gdy do diody podłączone jest napięcie, gradient elektryczny (lub: gradient potencjału) jest najwyższy w warstwie środkowej. Przewodnictwo elektryczne będzie takie samo jak w każdym innym przewodniku, proporcjonalnie do podłączonego napięcia. Ewentualnie, przy wyższych zakresach, właściwości przewodnicze środkowej warstwy ulegną zmianie, zwiększy się jej oporność i zmniejszy gradient, blokując dalszy przepływ prądu i powodując jego spowolnienie. W praktyce oznacza to, że dioda Gunna posiada element o ujemnym oporze [pozornym].
Opór ujemny, połączony z właściwościami warstwy środkowej, umożliwia stworzenie oscylatora tłumionego (fale radiowe- RF) dzięki przepuszczeniu odpowiedniego prądu stałego przez diodę. Opór ujemny powstający w diodzie zrównoważy się z dodatnim ładunkiem rzeczywistym aktualnie przepływającego ładunku, w efekcie pozostanie więc opór zerowy, dzięki któremu oscylacje przedłużone zostaną w nieskończoność. Częstotliwość drgań zależy częściowo od właściwości warstwy środkowej diody, ale może być regulowana czynnikami zewnętrznymi. Dlatego też diody Gunna używane są do konstruowania oscylatorów z częstotliwościami rzędu 10 GHz i wyżej (THz), w których rezonator jest zazwyczaj dodany do częstotliwości kontrolnej (lub: do kontroli częstotliwości). Regulowanie oscylatora dokonywane jest mechanicznie, poprzez modyfikowanie rezonatora lub – w przypadku rezonatorów YIG — poprzez zmianę pola magnetycznego.
Diody
Dioda Gunna jest rodzajem diody używanej w elektronice wysokich częstotliwości. Niezwyczajny jest fakt, że składa się ona jedynie z półprzewodników domieszkowych typu n, gdy większość diod bazuje na obu rodzajach półprzewodników, typu n i p. Dioda Gunna zbudowana jest z dwóch silnie domieszkowych przewodników typu n i lekko domieszkowego materiału pośrodku nich. Gdy do diody podłączone jest napięcie, gradient elektryczny (lub: gradient potencjału) jest najwyższy w warstwie środkowej. Przewodnictwo elektryczne będzie takie samo jak w każdym innym przewodniku, proporcjonalnie do podłączonego napięcia. Ewentualnie, przy wyższych zakresach, właściwości przewodnicze środkowej warstwy ulegną zmianie, zwiększy się jej oporność i zmniejszy gradient, blokując dalszy przepływ prądu i powodując jego spowolnienie. W praktyce oznacza to, że dioda Gunna posiada element o ujemnym oporze [pozornym].
Opór ujemny, połączony z właściwościami warstwy środkowej, umożliwia stworzenie oscylatora tłumionego (fale radiowe- RF) dzięki przepuszczeniu odpowiedniego prądu stałego przez diodę. Opór ujemny powstający w diodzie zrównoważy się z dodatnim ładunkiem rzeczywistym aktualnie przepływającego ładunku, w efekcie pozostanie więc opór zerowy, dzięki któremu oscylacje przedłużone zostaną w nieskończoność. Częstotliwość drgań zależy częściowo od właściwości warstwy środkowej diody, ale może być regulowana czynnikami zewnętrznymi. Dlatego też diody Gunna używane są do konstruowania oscylatorów z częstotliwościami rzędu 10 GHz i wyżej (THz), w których rezonator jest zazwyczaj dodany do częstotliwości kontrolnej (lub: do kontroli częstotliwości). Regulowanie oscylatora dokonywane jest mechanicznie, poprzez modyfikowanie rezonatora lub – w przypadku rezonatorów YIG — poprzez zmianę pola magnetycznego.
Diody
#swiat #przyjemnezpozytecznym
Źródło Polsat News w HD:)